高出力半導体レーザーによる歯周ポケット減少手術 : 上顎口蓋側歯周ポケットに対する検討
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概要
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高出カ半導体レーザーによる上顎口蓋側歯周ポケット減少手術の有用性について検討した。成人型歯周炎と診断され,初期治療終了後上顎口蓋側に深い歯周ポケットが残存した患者16名を被験者(被験部位20部位,34歯)とし,オサダライトサージ3000^<[O!R]> を用い歯周ポケット減少手術を行った。術中の局所麻酔量は,2% Xy1ocaine^<[O!R]> 0.36±0.19m1/歯,レーザー照射時間は,170.5±90,4秒/歯,手術時間は,12.3±6.6分/歯であった。術後疼痛の無い部位は13部位,軽度は5部位であり,高度は1部位であった。術後診査は,歯周ポケットの深さ,歯根露出量,Plaque lndexについて,術後l,3,6,12カ月に行った。術後の歯周ポケットの深さの推移は,術前の平均4.9±l.6mmに対し,術後1カ月が最少でl.8±0.9mm,l年経過時でも2.3±1.2mmと良好なレベルに推移していた。術後の歯周ポケットの深さとPlaque lndexとの関係では,プラークコントロール良好群(プラーク無群)と不良群(プラーク有群)との間に差はなかった。部位別にみた歯周ポケットの経時的変化については,口蓋側中央部の歯周ポケットは,1年後まで同じレベルを維持していたが,歯間部では,漸次深化傾向があった。以上の結果より,高出力半導体レーザーによる歯周ポケット減少手術は,上顎口蓋側歯周ポケットを減少させるのに有効であると考察された。
- 特定非営利活動法人日本歯周病学会の論文
- 2001-12-28
著者
-
長谷川 明
日本歯科大学新潟歯学部附属病院歯周病学講座
-
富井 信之
日本歯科大学新潟歯学部歯周病学講座
-
金谷 一彦
日本歯科大学新潟歯学部歯周病学講座
-
長谷川 明
日本歯科大学新潟歯学部歯周病学講座
-
澤口 政治
日本歯科大学新潟歯学部歯周治療学教室
-
西山 俊夫
日本歯科大学新潟歯学部歯周治療学教室
-
長谷川 明
日本歯科大学新潟歯学部いびき診療センター
-
菅原 香
月潟歯科クリニック
-
斉藤 幸枝
日本歯科大学新潟歯学部歯周病学講座
-
今井 純人
日本歯科大学新潟歯学部歯周病学講座
-
浜 巧一
日本歯科大学新潟歯学部歯周病学講座
-
浜 巧一
医療法人社団浜歯科医院
-
澤口 政治
日本歯科大学新潟生命歯学部歯周病学講座
-
沢口 政治
日本歯科大学新潟歯学部歯周病学講座
-
長谷川 明
日本歯科大学口腔外科学教室
-
長谷川 明
日本歯科大学口腔外学教室
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