Temperature Dependent Breakdown Characteristics in InP/InGaAs Avalanche Photodiodes

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人応用物理学会の論文
• 1996-03-01

著者

• Kim Hong

  Electronics And Telecommunications Research Institute

• Park C

  Electronics And Telecommunications Res. Inst. Daejon Kor

• HYUN Kyung

  Electronics and Telecommunications Research Institute

• PARK Chan

  Electronics and Telecommunications Research Institute

関連論文

• Temperature Dependent Breakdown Characteristics in InP/InGaAs Avalanche Photodiodes
• Fabrication of Nano-Gap Electrode Pairs Using Atomic-Layer-Deposited Sacrificial Layer and Shadow Deposition

スポンサーリンク