Transient Phenomena in the Capacitance of GaAs Schottky Barrier Diodes
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概要
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- 社団法人応用物理学会の論文
- 1966-09-15
著者
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Ishibashi Yoshio
Electrical Communication Laboratory
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FURUKAWA Yoshitaka
Electrical Communication Laboratory
関連論文
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- Anisotropy in Etching and Deposition of Selective Epitaxial Growth of GaAs II