イメージオルシコンの解像度特性
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概要
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イメージオルシコンの解像度に影響をおよぼす要素のうち, 再分布二次電子と漏洩偏向磁界の効果を, 仮定した条件の下で数値解析を行なった.再分布二次電子は直流出力電流の低下という犠牲を払って高域部でのレスポンスを向上させ, 偏向磁界のイメージ部への漏洩は光電子の偏位を起こさせて解像度の低下を招くことを示した.このため, コイルアセンブリーを改良して漏洩偏向磁界を少なくし, 管の解像度特性を向上させた.
- 1968-08-01
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