電界重複印加NMR法による液晶ダイレクタ分布測定
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概要
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2枚のガラス基板で構成されるサンドイッチ型セル内のネマティック液晶ダイレクタ分布を、重水素化核磁気共鳴法(DNMR)を用いて詳細に調べた。印加電圧増加に伴い、観測される四重極分裂の幅は減少し一本のピークとなる。さらに電圧を増加させると分裂幅は増加し、印加電圧が0Vの場合の半分の値に収束する。これはダイレクタ分布が印加電圧に伴い、磁場と平行な状態から磁場に対して垂直な方向へと連続的に変化することを意味する。表面アンカリングを考慮し、磁場と電場にさらされたネマティック液晶ダイレクタ分布の電圧依存性を数値計算により明らかにした。このダイレクタ分布から得られるスペクトル電圧依存性は実験と良く一致した。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1998-01-30
著者
-
宮本 哲雄
大阪府立大学大学院工学研究科電気・情報系専攻
-
杉村 明彦
大阪産業大学
-
中村 健一
大阪産業大学大学院工学研究科情報システム工学専攻
-
Timimi B.A.
サザンプトン大学
-
Luckhurst G.R.
サザンプトン大学
-
Le Masurier
大阪産業大学工学部情報システム工学科
-
Timimi B
サザンプトン大・化
-
Luckhurst G
サザンプトン大・化
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