表面アンカリングエネルギーの液晶/配向膜分子構造依存性

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概要

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一般化表面エネルギーg_s(θ, φ)に基づく, 液晶セルのバルク内と基板表面でのトルクバランス方程式より, 表面アンカリング強度Aとプレチルト角, 印加電圧との関係が導かれる.すなわち, 外挿法により求めた飽和しきい値電圧(セル光路差が0となる電圧)よりAが算出できる.種々の配向膜に対するシアノ系液晶及びフッ素系液晶の表面アンカリング強度を測定した.液晶 / 配向膜分子構造の違いにより表面アンカリング強度はA=10^<-4>〜10^<-3>[J / m^2]と大きく変化した.また, フッ素系液晶では表面アンカリング強度の増加とともにチルト角が増加し, シアノ系液晶とは逆の傾向を示した.配向膜材料に関しては膜表面での電子密度と同等以上に, 配向膜分子側鎖による液晶分子挙動の阻害が表面アンカリングエネルギーに影響を及ぼしている.
社団法人電子情報通信学会の論文
2000-02-25

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