P-4 : N-channel Poly-Si TFTs Employing Low Temperature Excimer-Laser Doping with PSG films(Report on IDMC2000)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 一般社団法人映像情報メディア学会の論文
- 2000-11-10
著者
関連論文
- P-2: Improvement of Electrical Stability in the Poly-Si TFTs with Air Cavities at the Edges of the Gate Oxide(Poster Session)(Report on 2001 SID)
- P-4 : N-channel Poly-Si TFTs Employing Low Temperature Excimer-Laser Doping with PSG films(Report on IDMC2000)