イオンドーピングを用いたLDD構造Poly-SiTFT特性改善
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
一回だけのイオンドーピングでソース・ドレイン及びLDD領域を同時に形成するという簡便なプロセスを用いることによって、良好なTFT特性を有するLDD構造Poly-SiTFTを作製した。ここでは、大面積処理に有効な、非質量分離であるイオンドーピングを用い、深さ方向にブロードなP濃度プロファイルを利用してLDD濃度を制御し、TFT特性の改善に成功した。このLDD構造TFTは8桁以上の高いオン/オフ比および良好な負バイアス信頼性を示した。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1995-02-17
著者
-
置田 雄二
三洋電機
-
瀬川 泰生
三洋電機
-
湯田 真次
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
北井 健一
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
瀬川 泰生
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
佐々木 昭史
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
-
置田 雄二
三洋電機(株)マイクロエレクトロニクス研究所
関連論文
- 8)イオンドーピングを用いたLDD構造poly-Si TFT特性改善(情報ディスプレイ研究会)
- イオンドーピングを用いたLDD構造Poly-SiTFT特性改善
- 1D111 偏光顕微鏡によるラビング処理配向膜の表面観察
- 3F121 TFT液晶パネルにおける光干渉現象
- SID '91報告 : プロジェクションLCD : 情報ディスプレイ
- 6)プロジェクションLCD(情報ディスプレイ研究会)