a-SiTFT-LCDのオフ特性におよぼすパッシベーションSiNx膜の影響(<特集>画像変換装置特集)
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概要
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a-SiTFT-LCDのオフ特性劣化の1つの要因として、配向膜中分極成分の界面分極によるバックゲート効果があげられるが、その対策としてパッシベーションSiNx膜をTFT上に形成し、その影響を調べた。SiNx膜 の電気・物理特性とTFT特性との関係を明かにするとともに、実動作信頼性試験を通じてオフ特性に対するパッシベーションSiNx膜の有効性を確認した。
- 社団法人映像情報メディア学会の論文
- 1990-06-21
著者
-
堀田 定吉
松下電器産業(株)中央研究所
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堀田 定吉
松下電器産業(株)映像音響研究センターディスプレイ研究所
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竹澤 浩義
松下電器産業(株)液晶SUM石川工場
-
小川 鉄
松下電器産業(株)液晶SUM石川工場
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堀田 定吉
松下電器産業
-
小川 鉄
松下電器産業株式会社映像音響研究センター
-
小川 鉄
松下電器産業(株)中央研究所
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