高機能シリコンヘテロ構造材料の開発

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る

• シリコンデバイスの高性能化は、これまで専ら微細化で対処され、大きな成果を上げている。しかしながら、加工寸法が0.1μmを切るようになると、新材料の採用による高機能化も、視野に入れる必要性が高まっている。その一つの候補が、化合物半導体で大きな成功を収めているヘテロ構造の採用である。これまで、ヘテロ構造の有用性は、シリコンにおいても高く評価され、材料探索も行われてきたが、その中で現在最も有望視されているのは、SiGe/Siへテロ構造である。本稿では、このSiGe/Siへテロ構造の特性と、その機能について述べ、この材料系がシリコンデバイスの高機能化にどのように貢献できるかを検討する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-09-18

著者

• 白木 靖寛

  東京大学先端科学技術研究センター

関連論文

• 28p-R-5 二次元アンチドット格子系における量子ホール状態
• 28p-R-5 二次元アンチドット格子系における量子ホール状態
• 二次元アンチドット格子系の強磁場磁気抵抗
• 二次元アンチドット格子系の強磁場磁気抵抗
• 26a-ZH-18 SiGe/Si歪量子井戸のバンド端発光
• 高機能シリコンヘテロ構造材料の開発
• Si-Ge 系ヘテロ構造とデバイス応用
• 間接遷移型半導体の量子井戸・超格子からの発光

スポンサーリンク