Si-Ge 系ヘテロ構造とデバイス応用

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概要

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Si-Ge系ヘテロ構造について,その作製法,物性,およびデバイス応用について概観した.この材料系が格子不整合であるために生ずる作製上の問題点とその解決法について検討した.また,ひずみによる電子帯構造の変化と,それに伴う諸物性について考察した.特にバンド不連続のひずみ依存性と,その結果えられる量子井戸の変化について述べた.この材料系は間接遷移型であるにもかかわらず,その量子井戸は高効率の発光を呈する.また,変調ドーピングにより,電子および正孔の高移動度化が可能である.これらの特性が,どのようにデバイスに応用されるか具体例について検討を行った.
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-10-25

著者

白木靖寛
東京大学先端科学技術研究センター

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