νMOS多入力多数決回路の歩留まり予測
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概要
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νMOSを用いると、多入力の多数決論理回路を少数のデバイスで簡単に構成することができる。その場合の問題点は、MOSデバイスしきい値の製造バラツキにより論理しきい値が変動することである。これを解決するための補正付き多数決回路を先に提案した。以下では、この回路の補正効果と動作歩留まりを調べるため、実際の素子バラツキデータをもとにシミュレーション解析を行った。
- 1996-09-18
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