800MHz帯GaAs FET低電圧・低歪み・高効率電力増幅器
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概要
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近年、移動通信に用いられる携帯電話は、ますます、小型、軽量化、低消費電力化が望まれている。更にディジタル携帯電話においては、送信電力の線形性も重要な課題となってくる。これらの要求に答える為には、送信電力増幅器の低電圧動作と高効率化及び、線形性に優れた特性が最も有効である。本報告では、低電圧駆動GaAs FETを使用した、800MHz帯SAWフィルタ内蔵型・低電圧駆動・低歪み、高効率ディジタル携帯電話用電力増幅器を開発したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-09-05
著者
-
中村 浩
沖電気工業株式会社化合物半導体事業推進センタ
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関口 和美
沖電気工業(株)ネットワークデバイス事業推進センタ
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大沢 修
沖電気工業(株)ネットワークデバイス事業推進センタ
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猪口 和之
沖電気工業株式会社化合物半導体事業推進センタ
-
江原 永典
沖電気工業(株)ネットワークデバイス開発センタ
-
矢島 志郎
沖電気工業(株)ネットワークデバイス開発センタ
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猪口 和之
沖電気工業
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江原 永典
沖電気工業
-
矢島 志郎
沖電気工業(株) ネットワークデバイス開発センタ
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