非対称矩形二重障壁構造におけるバイアス印加時の共鳴条件
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概要
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バイアス印加を想定した非対称矩形二重障壁構造における共鳴トンネル現象の解析結果が報告されている. 今回, 比較的低い共鳴エネルギー値が選択可能である深い井戸を有する非対称二重障壁構造において各障壁層と井戸層の電子の有効質量差を考慮に入れた場合のバイアス印加時の共鳴トンネル現象の解析結果を報告する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-08-13
著者
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山本 弘明
福井大学 工学部
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山本 弘明
Department Of Information Science Faculty Of Engineering Fukui University
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宮本 清志
福井大学 工学部
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