シリコン・シリコン酸化物界面の観察(1) : 酸化物の赤外分光法
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概要
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シリコンデバイスのゲート酸化膜形成技術の開発を目的として、シリコンの電気化学的酸化法を検討してきた。現在実用化されている熱酸化法によると、 シリコン酸化膜にストレスが生じ、その結果酸化物の赤外線吸収ピークは酸化膜の厚さに依存して移動すると報告された。このことに関して本報では陽極酸化膜を使って、膜の赤外吸収を解析し、検討する。
- 1994-09-26
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