ストリップ導体装荷W帯フィンラインダイオードスイッチ
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概要
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高周波数帯ではダイオードインピーダンスが逆バイアス状想で低下し、良好なスイッチング特性が得られない。ここでは、フィンラインと電磁結合するストリップ導体をダイオードに並列に装荷し、W帯にてダイオード一個でSPSTスイッチが実現できることを示し、その帯域について検討した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-09-26
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