高速ディジタルデバイス実装における高周波電気的特性の検討 : フリップチップ実装時の高速伝送特性(LSIシステムの実装・モジュール化・インタフェース技術, テスト技術)
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概要
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高速ディジタル信号のギガヘルツ伝送を可能する、Flip-Chip実装における高周波電気特性を電磁界シミュレーターにより考察した。その結果、高速信号がビアを通過する際、多層配線板のグランドプレーンへ電磁波が漏洩しグランドプレーン表面に多くの電流が流れることを確認した。プレーンを貫通するビアのクリアランスが狭いほど、静電容量が増大して電荷が暫時滞留する。これにより信号品質の劣化が伴うことも確認した。高速ディジタル信号が通過する構造体には電磁波エネルギーが多重反射を繰り返し、過度電荷滞留を起こさない構造が望ましい。
- 2005-09-02
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