新冗長方式搭載の1T1C 1MビットFRAMの開発 (<特集>メモリ・混載メモリ及びIC一般)

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概要

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大容量FRAMの製品化に寄与する2つの新回路技術を搭載した1T1C 1Mb FRAMを開発した。1つは、強誘電体キャパシタを活用した低コストでかつ高い救済率をもつ冗長回路で、他方は、センスマージンの少ないメモリセルのスクリーニング機能をもった基準電位発生回路である。この2つの回路を組み合わせることによって、歩留まりを犠牲にすることなく、1T1Cセルの信頼性を高めることができる。また、1T1Cセルの疲労特性およびリテンション特性の実測結果より、現行プロセスによって1T1Cにおいても、現行の2T2C製品と同等の信頼性を満たすことができることを確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2001-04-05

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