νMOSによる多入力多数決回路の歩留まり予測 (<特集> アナログ・アナデジLSIおよび一般)
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概要
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νM0Sを用いると、多入力の多数決論理回路を少数のデバイスで簡単に構成することができる。その場合の問題点は、MOSデバイスしきい値の製造バラツキによって論理しきい値が変動することである。これを解決する補正付き多数決回路を提案し、実際の素子バラツキデータをもとにシミュレーション解析を行った。その結果、本回路は実用上で歩留まりが高く信頼できる回路であることが確認された。
- 1996-09-27
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