MOSFETの1/f雑音測定とモデリング
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
従来より, オーディオ周波数帯におけるアナログ回路及び種々の周波数帯における発振回路などで問題となる主な雑音要因の一つに, 回路を構成する半導体デバイスから生じる1/ƒ雑音があるということは知られている. この半導体デバイスから生じる1/ƒ雑音の測定及びモデリングは, これらアナログ回路を設計する上で非常に重要なことであるが, その測定や特性化などの困難さに問題があるとされていた. また, 近年のMOSトランジスタの低雑音化の技術発展などにより, 従来では1/ƒ雑音が多く困難とされていた上記分野のアナログ回路においても, MOSトランジスタによる回路構成が可能になってきた. そこで, 本論文ではMOSトランジスタの1/ƒ雑音の精度良い安定した測定及びMOSトランジスタの最新のSPICEモデルであるBSIM3 Version 3.2によるモデリング手法について言及する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1999-07-25