サブ0.1μmMOS構造素子における問題点と素子設計 : キャリヤ速度オーバシュートと特性揺らぎをもとに
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概要
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MOS構造素子のサブ0.1μm領域における問題点の抽出を行い, それに基づいての新たな素子設計法を検討した.低ゲートドライブ領域での電子速度オーバシュート効果は, ゲートドライブの増加と共に, 移動度劣化によって低下する.また, 移動度向上を目指したチャネル不純物の低濃度化は反転層キャリヤ密度の低下を招く.これがMOS構造の欠点である.一方, しきい値電圧の特性揺らぎを抑圧するための不純物濃度の最適解が存在する.本研究では, 素子の動作の高速化と特性揺らぎの抑制を両立した素子設計法を提案する.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-03-25