Coサリサイド技術

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概要

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• 0.1μm以降の微細CMOSデバイスにTi, Pt, Ni, Coの各サリサイドプロセスを適応し, その課題と可能性について議論する.特にCoサリサイドは今後ますます有望なプロセスであり, 従来プロセスで生じる抵抗のばらつきや接合リーク電流増加の原因を明らかにし, それらの問題の解決法を明らかにした.

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-03-25

著者

• 後藤 賢一

  株式会社富士通研究所

• 後藤 賢一

  株式会社富士通研究所機能デバイス研究部

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