コンタクトの雑音に関する一考察 (機構デバイスの新しい展開とその基礎論文小特集)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
コンタクトの雑音を10 Hz-10 kHzの低周波領域で測定し,それが1/f型スペクトルを呈し,その強度が,抵抗の5乗に比例して増加することも示す.その雑音発生機構として,コンタクトの表面が粒子状物質で覆われていると仮定し,その部分の集中抵抗の呈する雑音を解析すると,実験事実を定性的に説明することができ,これを一つの雑音発生モデルとして提案している.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-11-25
著者
関連論文
- 位相同期回路(PLL)の位相雑音とその一低減法
- 固体空間電荷制限ダイオードの製作と特性
- 2)半導体光デバイスの低周波雑音(無線・光伝送研究会)
- トランジスタの1/f位相雑音およびその発振器の周波数ゆらぎ低減への応用
- トランジスタの1/f位相雑音およびその発振器の周波数ゆらぎ低減への応用
- トランジスタの1/f位相雑音およびその発振器の周波数ゆらぎ低減への応用
- 電気的接触における雑音の測定
- 薄膜導波路に於けるTE-TMモード位相整合のための誘電定数間の関係
- 半導体デバイスの低周波1/f雑音とその低減法
- コンタクトの雑音に関する一考察 (機構デバイスの新しい展開とその基礎論文小特集)
- 伝送系の位相および振幅性雑音の測定とその応用 (EMC計測技術論文小特集)
- 電気的接触と1/f雑音
- エキシマレーザを用いた1.55μmファイバ型回折格子の形成
- V-MOS FETのドレイン雑音について
- 電気的接触における電流雑音
- シリコンバルクの高電界特性
- 高電界効果を考慮したFETの雑音特性
- FETを用いた増巾器及び混合器の雑音指数
- 電界効果トランジスタのドレイン雑音