酸化物誘電体の"その場"観察成長による成長初期過程の考察 : レーザラマン分光法を用いたTiO_2薄膜の"その場"観察成長
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概要
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結晶成長における"その場"観察は、成長初期過程のメカニズムを解析するうえで最も重要である。しかし、CVD法やPVD法などの気相雰囲気中での"その場"観察技術は不十分である。そこで本研究では、気相雰囲気中でも影響を受けない光をプローブとしたラマン分光法を用いた"その場"観察成長システムを提案、PE-CVD(plasma enhanced CVD)装置と組み合わせ、TiO_2薄膜の"その場"観察成長を行った。TiO_2薄膜の"その場"観察成長の測定結果から、27.5Aという非常に薄い膜厚からの信号を得ることができた。成長初期においてTiシリサイドが形成され、TiO_2薄膜の結晶化に関与していることがわかった。また、基板からの応力により、成長モードを変えていることがわかった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-03-08
著者
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平木 昭夫
高知工科大学
-
平木 昭夫
高知工学大学電子・光システム工学科
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村石 修一
日本電子ライオソニック株式会社
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森澤 桐彦
高知工学大学
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西田 謙
高知工学大学
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村石 修一
高知工学大学
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河東田 隆
高知工学大学
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森澤 桐彦
高知工科大学
-
西田 謙
高知工科大学
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