サブクォータミクロンMOSFETシミュレーションのためのTCAD高精度化

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概要

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• サブクォータミクロンMOSFETの電気特性をTCADを用いて予測可能とするため、物理モデルの検討およびキャリブレーションを実施した。不純物クラスタリングのモデルを用いて高濃度不純物の拡散プロファイルのシミュレーションを高精度化するとともに、Si/酸化膜界面における点欠陥の再結合レートを検討し、不純物の界面へのパイルアップに起因する逆ショートチャネル効果についても高精度なシミュレーションを可能とした。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1998-10-23

著者

• 西尾 修

  シャープ株式会社ic事業本部超lsi開発研究所

• 竹中 正浩

  シャープ株式会社IC事業本部超LSI開発研究所

• 大南 信之

  シャープ株式会社IC事業本部超LSI開発研究所

• 川村 昭男

  シャープ株式会社IC事業本部超LSI開発研究所

• 藤井 克正

  シャープ株式会社IC事業本部超LSI開発研究所

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