1トランジスタ型メモリセルを用いたビット消去可能なFlash EEPROM技術

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概要

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ビット消去が可能で、しかも1トランジスタセルから構成される新たなFlash EEPROM技術(BEST方式)について検討を行った。書き込み動作及びセクター消去はFNトンネリング、ビット消去はホットエレクトロン注入により行う。ビット消去時の非選択セルにおけるディスターブを防止するために、新たなパルス印加方法を採用した。繰り返し書き換え特性についても確認を行った。BEST方式はビット消去可能な16MビットFlash EEPROMに適用が可能である事を確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
1993-05-28

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