2V以下での低電圧動作が可能なチャージポンプ回路
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概要
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電源電圧2V以下における昇圧動作が可能なチャージポンプ回路を提案し、試作/評価を行った。この回路はP型MOSトランジスタにより構成され、各段のMOSの基板(Nウエル)が電気的に分離されていることを特徴とする。出力電位は、しきい値電圧による電圧降下の影響を受けない。また、P型MOSのオン/オフ時のゲート電圧の変化を大きくするため、低電圧で動作するブートストラップ回路も提案した。2層ポリシリコン、1層メタル、1.2μm CMOSプロセスによりチャージポンプ回路のTEGを試作/評価し、電源電圧1Vで出力電圧18V以上となる事を確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-11-22