スマートイメージセンサ用PROMの検討
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概要
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MOS型スマートイメージセンサにおける欠陥補正をオンチップで実現するために、新しいPROMの記憶原理を提案し試作評価を行なった。本PROMはホットキャリア注入に起因する、nMOSトランジスタ酸化膜の電子トラップ増加現象を記憶原理に用いた。これにより標準CMOSプロセスで製作可能であること、紫外光に対しても記憶が消去されないこと、データ保持用の電源が不要であること、等の本記憶素子に必要な特徴を実現することができた。メモリセルにおける検出感度の向上により、PROMへの書き込み時間は8秒程度とすることができた。これはイメージセンサの欠陥位置記憶に用いるPROMとしては、十分な特性である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-05-28
著者
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