POLY-Si MOS TFTの高電圧ストレス印加による効果
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
SRAMに応用されるPolySi PMOS TFTのホットキャリア効果について解析を行なった。OFF状態のTFTデバイスにストレス(Vds〉-7V)を加えるとOFF電流が1, 10以下に減少,またGate Induced Drain Leakage(GIDL)の抑制も確認され,400℃アニールを行なうとデバイスの特性はストレス印加前に戻ることも確認された。ホットキャリア効果,リーク電流のメカニズム及びゲート電流の間に関係があることが明らかになった。ゲート電流の増加はゲート・ドレインオーバーラップ部のバンドーバンド間トンネリングで生じるドレインリーク電流のドレイン電圧に起因している。ストレス印加によるOFF電流の減少とGIDLの抑制はゲート酸化膜中に捕獲されたホットエレクトロンの効果により生じているが,この現象は測定したゲート電流との関係により説明できる。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-07-26