高速光近接効果補正/検証システムの開発
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概要
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素子の設計ルールが、光リソグラフィの解像限界に近くなり、光近接効果 (OPE) が顕著になってきた。ウェハ上での寸法均一性を達成するためには、マスク上で予め変換差を見越した補正を加えておく必要がある。本報告は、トランジスタのゲート長補正を対象とした、高速な光近接効果補正および検証システムの開発に関する。
- 1997-11-21
著者
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小林 幸子
東芝セミコンダクター社プロセス技術推進センター
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山元 和子
東芝研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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小林 幸子
東芝研究開発センター 先端半導体デバイス研究所
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宇野 太賀
東芝研究開発センター 先端半導体デバイス研究所