マイクロ波トランジスタの光応答と高速光信号検出素子への応用(光集積回路/素子, スイッチング, PLC, ファイバ型デバイス, 導波路解析, 一般)

概要

論文の詳細を見る
市販のマイクロ波トランジスタ(GaAs系HEMT、C〜Kuバンド小信号増幅用)に、波長633〜785nmのレーザー光を光学顕微鏡を用いて集光、照射して特性の変化を詳細に調べた。その結果、照射位置に依存するドレイン電流の増加/減少、およびマイクロ波小信号利得の増加/減少が明瞭に観測された。特に、素子表面のゲート電極付近にレーザー光を照射した場合では、微弱な光(〜1μW)に対しても明瞭な電流や利得の増加が見られた。この特性を利用して、HEMTの高速光強度変調信号検出素子・光ミキサーとしての可能性を追究した。13〜17GHz帯のマイクロ波強度変調光をゲート電極付近に照射したところ、ドレインから光信号を検波したマイクロ波信号が得られ、市販の高速フォトダイオードと同程度の応答感度と雑音等価電力を示した。さらに、このときゲート電極へローカル信号(〜14GHz)を入力することで、検出した15GHz帯信号を中間周波数信号(〜1GHz)に変換できることを確認した。
社団法人電子情報通信学会の論文
2005-01-19