凹凸のある表面をもつ3次元完全導体による電磁波散乱特性 : 近傍界および表面電流密度
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概要
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安浦の方法を用いて, 凹凸のある表面をもつ3次元完全導体による電磁波散乱特性のうち, 近傍界および表面電流密度に関する解析を行っている.まずはじめに, 平面波が入射したときの照射領域における物体のごく近傍での全電界と全磁界の強度分布を比較し, それらの間には物体遠方では観測されない顕著な相違が生じることを示している.次に, 照射領域における物体のごく近傍での全磁界は, 物体形状に沿って強い分布を有することを示し, 物体形状が全磁界の分布に直接反映されることを明らかにしている.更に, 物体形状の局所的な変形が表面電流密度の分布を大きく変化させることを示し, 表面電流密度が物体形状に大きく依存した特性を有していることを明らかにしている.最後に, 3次元物体表面上の任意の観測面における表面電流密度は, 互いに直交する特定の観測面における表面電流密度の合成として表されることを示し, 3次元問題特有の偏波依存性を明らかにしている.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-09-25
著者
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