GaInAsP/InP超格子の複屈折を用いた新しい交差形モードスプリッタの解析
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概要
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本論文では,GaInAsP/InP導波路と同材料で構成した超格子構造の複屈折による光の全反射を利用した新しいモードスプリッタを提案し,その特性を解析的に検討した.解析法としては,TE/TM両モードが取扱い可能なセミベクトリアル差分ビーム伝搬法を用いた.まず,GaInAsP/InP超格子を含む導波路構造の設計を行い,コアを超格子にするとTMモードに対して屈折率を0.4%程度低下させられるが,TEモードに対しては変化がないことを示した.これを基に波長1.55μmにおいて,リブの高さ,交差角および出カポート間隔などの素子構造パラメータの最適値の検討を行った.その結果,交差角5度,素子長約0.9mmにおいてTE/TM両モードにおいて挿入損0.4dB以下,クロストーク特性-35dB以下でTE/TMモードを分離できることを示し,本素子構造は,光の全反射を利用することにより従来形の素子に比べ素子長を短縮化できる可能性があることを示した.更に,波長特性の解析も行っている.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-12-25
著者
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