PLZT薄膜導波路技術の光スイッチへの応用

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概要

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固相エピタキシャル成長によってNbドープSrTiO_3半導体基板上へ形成した低損失(Pb, La)(Zr, Ti)O_3(PLZT)薄膜光導波路を用い、光スイッチを検討した。PZT(52/48)を導波路層、PLZT(9/65/35)を基板吸収を防ぐバッファ層とし、チャンネル導波路幅を5μm, S字チャンネルの曲率を8mm、Y分岐長を3mm、電極長を3mmとした。試作した1×2デジタル型光スイッチは、l0Vにて-22dBのクロストークを示し、応答速度としては20nsが得られた。
2001-06-29

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