半導体基板上PLZT薄膜導波路を用いた低電圧駆動デジタル光スイッチの検討

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概要

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NbドープSrTiO_3半導体基板上に固相エピタキシャル成長によって形成した(Pb, La)(Zr, Ti)O_3(PLZT)積層薄膜光導波路を用いた低電圧駆動デジタル光スイッチを検討した。PZT(52/48)を導波路層、PLZT(9/65/35)をバッファ層とし、段差を0.5μm、チャンネル幅を5μmとした逆リッジ型チャンネルを設計した。この逆リッジ型チャンネルを用い、S字チャンネルの曲率を約9mm、Y分岐長を3.6mm、電極長を2.0mmと設定した。試作した1×2デジタル型光スイッチは、-20dBクロストークを14Vで示し、従来のLiNbO_3によるデジタルスイッチと比較し、1/3以下への駆動電圧低減を実現できることを確認した。
2000-01-18

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