LSI配線形成工程におけるAl/SiO_2界面の熱的安定性
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概要
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LSIに広く用いられているAl, SiO_2界面の安定化は、配線系の高信頼化を図る上で不可欠となっている。現在、配線形成工程の高温化も検討されており、工程中の界面の熱的安定性を明らかにする事が要求されている。本研究では、超高真空中でAl/SiO_2界面形成過程の温度依存性をX線光電子分光法により、その場で評価した。200℃以下で界面を形成した場合、界面では反応は起こらず、急峻な界面が得られる。300℃以上では、Al-SiO_2間の酸化-還元反応を起こり、Al酸化物は界面に局在するが、還元されたSiはAl層中に一様に拡散していく事を見いだした。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-12-10