ポリ(p-フェニレンビニレン)誘導体の合成とその電子光物性
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概要
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長い側鎖としてアルコキシビフェニルメソゲン単位を有するポリ(p-フェニレンビニレン)誘導体, poly(2-methoxy, 5-(4-decyloxy-bipheny-4'-(1, 10-dioxydecane))-p-phenylene vinylene), MDBD-PPVを新規に合成し, その電気的光学的性質を調べた。光学顕微鏡観察とX線回折測定から, 液晶分子の配列と層構造をそれぞれ確認した。誘導率は相転移温度で階段状に変化する。液晶相での禁止帯幅は約2.3eVで, 温度降下により単調に減少する。MDBD-PPV主鎖に起因するPLピークが約560nm付近に認められる。液晶性高分子, MDBD-PPVを用いた電界発光素子(EL)を作製し, そのELスペクトルは印加電圧の極性に依存することを見出した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-11-20
著者
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