フラーレンエピタキシャル薄膜の高分解能電子エネルギー損失分光
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概要
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MoS_2及びSi(111)7×7基板上にエピタキシャル成長したフラーレン(C_<60>, C_<70>)薄膜の成長初期過程の解明を高分解能電子エネルギー分光法(HREELS)により試みた。その結果、MoS_2壁開面及びSi(111)7×7表面上の第一層目のC_<60>分子が、基板表面とそれぞれ特異な相互作用をしていることが明らかになった。また、C_<70>単分子膜の分子の向きがMoS_2壁開面及びSi(111)7×7表面で異なり、その分子の向きが第2層目以降のC_<70>の成長における分子の向きを決定していることが明らかになった。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-07-05
著者
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小間 篤
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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藤川 安仁
東京大学大学院理学系研究科化学専攻
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小間 篤
東京大学大学院理学系研究科
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小間 篤
東京大学大学院理学系研究科化学専攻:郵政省通信総合研究所関西支所ナノ機構研究室
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