統一モデルによるSi中のB、P、As拡散のシミュレーション
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ボロン、リン、ヒ素の拡散について、新しいモデルに基づき、拡散に寄与する機構、拡散種、点欠陥を抽出してシミュレーションを行なった。B、Pでは各々3個、Asでは4個という数少ない、物理的意味が明確なパラメータで統一的にシミュレーションができることを示す。また、P異常拡散に関して、表面近くではマイナス2価の空孔による通常空孔拡散、それよりも深い領域ではキックアウト機構が支配的であり、後者において、キンク領域ではSi格子間原子、テイル領域では中性P格子間原子が拡散を支配していることが、特異的なプロファイルの出現機構であることを明らかにする。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-26