接点電流の第三高調波歪を応用した接点間にある絶縁皮膜の検出と解析 : 接触の理論と応用 その6

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概要

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• 接触抵抗(CR)が例えば数ミリ〜数オームの金属接点について、対向する接触面の間に薄い絶縁皮膜が存在し、これを貫通してトンネル効果による電流が流れる場合の第三高調波率(THD)をSIMMONSの式より計算した。Au-Ni合金接点による実験において、高いCRの接点は高いTHDを示し、両者はトンネル電流より導かれる理論により説明し得る関係を示した。これらを測定ることにより、トンネル皮膜の主菜な物理定数である有効皮膜厚さ、および皮膜に対する電子の仕事定数を推定することが可能である。本論文の応用として;1)接点の接触を劣化させる、薄い絶縁皮膜が金属接点間に存在していることを、接点のCRのほかにTHDを測定ることにより検証できる。2)直流電圧に対する接点のCRの非線形性を測定ることにより、そのTHDを推定できる。即ち印加直流電圧(V)を変えて、CRを有効数字4(3)桁まで測定することにより、第三高調波を直接測ることなく約-80(-60)dB以上のTHD(V=0.1V)を検出できる。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2002-09-13

著者

• 高野 栄助

  コンサルタント

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