電界吸収型半導体外部変調器モジュール
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概要
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光ファイバ通信の高速・長距離化を実現するために、LD直接変調に比べてチャーピングが小さい外部変調器が必要となる。我々は、選択成長埋め込み構造電界吸収型(EA)光変調器を用いた外部変調器モジュールを開発した。モジュール挿入損失として最小6.5dB、消光比(@3V)として13.4dB以上が得られた。1.3μm零分散ファイバを用いて、1.55μm-2.4Gb, s-80km伝送実験を行い、パワペナルティ0.5dBの良好な伝送特性を確認し、さらにEDFAを用いることにより120kmの伝送を実現した。以上により、今回開発したEA変調器モジュールは、既設の1.3μm零分散ファイバを用いた1.55μm-2.4Gb/s長距離伝送システムに適用可能であることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1993-08-26
著者
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田島 勉
日本電気株式会社光ネットワーク事業本部
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小杉 智也
日本電気(株)第二伝送通信事業部
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清水 春仁
日本電気第二伝送通信事業部
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小杉 智也
日本電気第二伝送通信事業部
-
阿部 雄二
日本電気第二伝送通信事業部
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田島 勉
日本電気第二伝送通信事業部
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小松 啓郎
日本電気光エレクトロニクス研究所
-
堀田 厚也
宮城日本電気
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清水 春仁
日本電気(株)第2伝送通信事業部
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堀田 厚也
Nec宮城
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