UHC MOS-FET パワーアンプ : UHC MOS-FETパワーアンプの開発
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概要
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UHC (Ultra High Current)MOS-FETは100Aを超えるドレイン電流の領域まで, ゲート・ソース間電圧対ドレイン電流の直線性が確保されていると言う驚異的な特性を示す.反面, 電極間容量が極めて大きく, 温度係数は大きな正の値である.筆者はUHC MOS-FETの特徴をパワーアンプに活かすために, UHC MOS-FET専用の完全対称型パワーアンプを開発した.電極間容量の多さはダーリントン接続出力段で解決し, 正の温度係数にはサーミスタを温度センサーとした温度補償法を開発し, 安定な動作を確保した.その結果極めてシンプルな回路にもかかわらず, 従来のMOS-FETでは得られない高性能なパワーアンプが生まれた.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-06-30
著者
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