真空管DCパワーアンプ : 6C33C-B真空管DCパワーアンプの開発
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概要
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半導体増幅素子と異なり, 真空管にはコンプリメンタリー・デバイスが存在しない.従ってDCパワーアンプは理論的に製作不可能である.しかし, 従来の真空管アンプの回路技術ではなく, 最新の半導体DCアンプの回路技術に基づいて真空管アンプの設計を試みた結果, 真空管でもDCパワーアンプの製作が可能になった.回路の直結化はカレンミラー回路で解決し, SEPP出力段の対称ドライブの条件は電流出力アンプによるドライブ法(完全対称アンプ)で解決した.このDCアンプは差動アンプとSEPP出力段による極めてシンプルな回路構成である.その低域カットオフ周波数はDCまで達しており, 出力トランスによる磁気歪みと大容量電解コンデンサーによる歪みから完全に解放された真空管パワーアンプである.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-09-18
著者
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