レーザーアニールp-SiTFTを用いた18.2"対角TFT-LCDの試作
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概要
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レーザーアニール低温プロセスp-SiTFTを用い、450×350mm基板上に対角18.2"の大型TFT-LCDパネルを試作した。TFTの高移動度化と、特性の均一性とを両立させるため、レーザーアニール時に2段階照射法を適用した。レーザーにはエキシマーレーザーを用い、基板温度を300℃としておき、第1回目に結晶化しきい値近傍の強度で照射した後、第2回目の照射として十分結晶化する強度の照射を再度行なうことにより、移動度約100cm^2/VsのTFTを、基板上に均一に形成することができた。さらにマルチゲート構造を組み合わせることにより、オフ電流を10pA以下に低減し、画素に適用可能なTFT特性を得、TFT-LCDパネルを試作し、画素用TFTとして適用可能であることをを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-06-23
著者
-
森 祐二
(株)ジーティシー
-
三村 秋男
(株)ジーティシー
-
長江 慶治
日立製作所日立研究所
-
金子 英二
(株)ジーティシー
-
長江 慶治
(株)ジーティシー
-
三上 佳朗
(株)ジーティシー
-
桑原 和広
(株)ジーティシー
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