傾角注入で形成したパンチスルーストッパ層(TIPS)を有する0.1μm CMOS技術

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概要

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ここ数年0.1μmMOSトランジスタに関する発表が盛んだが, それらは高濃度基板, 極浅接合, 3-4 nmの極薄酸化膜, エピ・SOI等の複雑な素子構造など過度のスケーリングに基づく場合も多く, 寄生容量・抵抗, 基板バイアス効果の増大や信頼性・量産性等が危倶される。一方, 大傾角(LAT)注入を利用することで効率的にパンチスルーストッパ層を形成した微細MOS構造が1988年に登場した。しかし, その注入エネルギが高すぎるとパンチスルーストッパ層がソース/ドレイン層より深くなってしまい, これを解決しようと複雑なプロセスを導入した例もある。本報では, このような複雑なプロセスを用いることなしに, LAT注入のみで0.1μmCMOSデバィスに適用可能なTIPS (T__-ilt-I__-mplanted P__-unchthough S__-topper)技術について紹介する。
社団法人電子情報通信学会の論文
1997-03-06

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