C-8-16 MOSメモリセルの極低温環境下における動作実験(C-8.超伝導エレクトロニクス)
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2004-03-08
著者
関連論文
- C-8-4 NdBa_2Cu_3O_/PrBa_2Cu_3O_/NdBa_2Cu_3O_ランプエッジ接合の作製(1)
- 改質バリアの再結晶化過程の観察および改質バリアランプエッジ接合の特性
- YBaCuO積層型接合の高性能化
- C-8-16 超伝導デバイス用半導体増幅器の極低温環境下の基本動作
- C-8-25 液体窒素温度における市販MOSFET特性
- 日米の超伝導エレクトロニクス研究を顧みて
- C-8-6 Cu基部材上のYBa_2Cu_3O_薄膜作製
- HTSエレクトロニクスデバイスの内外の開発動向
- C-8-16 MOSメモリセルの極低温環境下における動作実験(C-8.超伝導エレクトロニクス)