高誘電率基板を用いたハイブリッドカプラーとその周辺技術
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
ハイブリッドカプラーを構成する上で縁端分布結合型のマイクロストリップ線路は単層の平面回路で, エアブリッジを必要とするLangeカプラーや結合係数に敏感な多層構造を必要とするブロードサイドカプラーに比べて生産性や歩留まりに優れている。また高誘電率基板を用いて90度ハイブリッドカプラーを小型のチップにする技術が報告されている。高誘電率基板上に結合マイクロストリップ線路を高密度に配置するための, ミアンダ型とスパイラル型の構成について述べ, 具体例を示す。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
関連論文
- 低電圧単一正電源動作C帯ドレイン注入ミキサ
- 高誘電率基板を用いた4GHz帯平面フィルタ
- 高誘電率基板を用いた90度ハイブリッドカプラーの小型化
- 静磁波フィルタを用いたスペトル拡散における狭帯域干渉波の除去
- 高誘電率基板を用いた準マイクロ波帯バンドパスフィルタ
- 高誘電率基板を用いたスパイラル型90゜ハイブリッドカプラ
- C-2-58 高誘電率基板を用いた閉じ込め性の良いインバーテッドマイクロストリップ線路
- 5.8GHz帯平面フィルタ内蔵ETC用マルチチップ・モジュール
- 高誘電率基板を用いたハイブリッドカプラーとその周辺技術