MOCVDによる長波長帯GaInNAs/GaAsレーザ
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概要
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温度特性の良好な長波長帯レーザの新材料としてGaInNAsが提案されている。これまで我々は窒素の原料にDMHy (ジメチルヒドラジン)を用いたMOCVD法により, GaAs基板に格子整合するGaInNAsを活性層, GaInPをクラッド層に用いたDH構造により, 1.26μmまでの室温発振を実現した。またLED動作ではGaAs基板に成長したものでは最も長波長である中心波長1.45μmの素子を実現した。これらの素子の温度特性は従来材料系の素子に比べて良好であった。今回, GaInPに比べて成長の容易なAlGaAsをクラッド層に用いたレーザを作製したので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
-
斎藤 哲郎
(株)リコー応用電子研究所
-
佐藤 俊一
(株)リコー 研究開発本部中央研究所
-
大沢 康宏
(株)リコー応用電子研究所
-
藤村 格
(株)リコー応用電子研究所
-
佐藤 俊一
(株)リコー応用電子研究所
-
佐藤 俊一
(株)リコー 研究開発本部 東北研究所
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