物理光学一様回折係数における距離パラメータの考察
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概要
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著者らは, 図1に示すような半無限導体平板に平面波が斜め入射する規範問題に物理光学法(PO)を適用して得られる散乱界を漸近評価することにより, エッジに対する新しい物理光学一様回折係数を提案した。導体円板などの平板導体による散乱問題において、物理光学法の数値面積分による計算結果と本回折係数を用いた解析的表現との比較により, 本一様回折係数の高い精度が実証されている。しかし, 本回折係数は図1の規範問題から導出されているために, 例えば, 散乱体表面の曲率半径がエッジ部分で有限の値を取るような散乱問題に対して, その精度の劣化が考えられる。これを改善し, 3次元問題に対する物理光学一様回折係数を確立することが本研究の目的である。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-03-06
著者
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