SiO_2/LiTaO_3構造SAW共振子フィルタ
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概要
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LiTaO_3、LiNbO_3上にSiO_2膜を形成したSAW用圧電基板は出来機械結合係数と温度特性に優れた基板として知られている。SiO_2の成膜法にRFスパッタ法を用い、SiO_2/IDT/36゜Y-X LiTaO_3構造で縦結合共振子フィルタを試作したところ、低損失、高選択度で、周波数温度係数がほぼ零のフィルタが得られたので報告する。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1995-03-27
著者
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